https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613
Название: | Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором |
Авторы: | Пискун, Г. А. Алексеев, В. Ф. |
Ключевые слова: | публикации ученых;схемотехнические модели;разряд статического электричества;моделирование импульсов;модели заряженного устройства;программная среда Qucs |
Дата публикации: | 2020 |
Издательство: | Белорусская государственная академия связи |
Описание: | Пискун, Г. А. Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором / Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев // Современные средства связи : материалы XХV Международной научно-технической конференции, Минск, 22-23 октября 2020 г. / Белорусская государственная академия связи ; редкол.: А. О. Зеневич [и др.]. – Минск, 2020. – С. 149‒151. |
Аннотация: | В ходе технологического процесса электронные компоненты испытывают контакт и разделение с разнородными материалами. В результате контактирования и разделения в электронных компонентах могут образовываться и накапливаться электростатические заряды. В работе рассматривается пример построения схемы модели воздействия CDM ЭСР на транзистор IRF730 и получения последующих осциллограмм в программной среде Qucs. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45613 |
Располагается в коллекциях: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Piskun_Razrabotka1.pdf | 213.23 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.