| Название: | Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда |
| Другие названия: | Deposition of a-Si:H in silanconsider plasma of twofrequency discharge |
| Авторы: | Грунский, Д. И. |
| Ключевые слова: | авторефераты диссертаций;плазмохимическое осаждение;a-Si:H;комбинированный разряд;оптическая эмиссионная спектроскопия;актинометрическая методика;толщина катодного слоя;plasma enhanced deposition;a-Si:H;combined discharge;optical emission spectroscopy;actinometrical method;thickness of a sheath |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Грунский, Д. И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Д. И. Грунский; науч. рук. А.П. Досганко, М.Н. Босяков. - Мн.: БГУИР, 2001. - 23 с. |
| Аннотация: | Проведено исследование процесса формирования слоев аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) в комбинированном разряде при одновременном воздействии ВЧ и 114 полей. Разработан и создан экспериментальный комплекс для осаждения a-Si:H на подложках площадью до 300 см2. Он содержит разрядную систему в плазмобоксе, согласующее устройство, ВЧ и НЧ генераторы, диагностический комплекс и сканирующее устройство для исследования эмиссии силансодержащей плазмы. |
| Аннотация на другом языке: | The research of deposition process of layers amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) in twofrequency discharge (is conducted at simultaneous influence of a RF and LF of electromagnetic fields) is cany out. Is designed and the experimental installation for a deposition a-Si:H on substrates by the area up to 300 см2 is created. It contains a digit system in plasma-box, matching box, RF and LF generators, diagnostic complex and scanner for research of emission of silanconsider plasma. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5154 |
| Располагается в коллекциях: | 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
|
