Skip navigation

Browsing by Author Шапошников, В. Л.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 28  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2019Charge properties of a MOS transistor structure with a channel made of a two-dimensional crystalMakovskaya, T. I.; Danilyuk, A. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Данилюк, А. Л.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2018Lattice thermal conductivity of transition metal dichalcogenidesAlexeev, A.; Krivosheeva, A.; Shaposhnikov, V.; Borisenko, V.; Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2019Атомарная структура, фундаментальные электронные, оптические и магнитные свойства низкоразмерных структур из полупроводниковБорисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Мигас, Д. Б.; Пушкарчук, В. А.; Филонов, А. Б.; Шапошников, В. Л.; Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Migas, D. B.; Pushkarchuk, V. A.; Filonov, A. B.; Shaposhnikov, V. L.
2017Атомно-слоевое осаждение и свойства гомо- и гетероструктур из гексагональных двумерных кристаллов: отчет о НИР (заключ.)Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2018Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналомМаковская, Т. И.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Данилюк, А. Л.
2016Влияние вакансионных дефектов и примесей на электронную структуру двумерных кристаллов MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металловКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Алексеев, А. Ю.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Alexeev, A. Yu.
2015Зонная структура 3D и 2D размерного Ca2SiБогородь, В. О.; Шапошников, В. Л.; Филонов, А. Б.; Колосницын, Б. С.; Мигас, Д. Б.
2016Зонная структура и оптические свойства дихалькогенидов молибдена и вольфрамаБорисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2014Исследование электронных и оптических свойств сульфида олова, многокомпонентных систем на его основе для разработки эффективных фотовольтаических преобразователей энергии : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.
2013Исследование электронных, оптических и магнитных свойств композиционных структур на основе оксидов тугоплавких металлов для новых электронных и фотоэлектрических приборов: отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Шапошников, В. Л.; Данилюк, А. Л.
2011Исследовать фундаментальные закономерности спин-зависимых электронных явлений в квантово-размерных структурах, разработать и исследовать перспективные элементы обработки информации на их основе : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Филонов, А. Б.; Данилюк, А. Л.; Родина, Т. Н.; Панфиленок, А. С.; Кухарев, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Костров, А. И.
2011Исследовать электронные и оптические свойства наночастиц кремния в диэлектрических матрицах AL2O3 и разработать оптические элементы обработки информации на их основе : отчет о НИР (заключ.)Филонов, А. Б.; Лешок, А. А.; Шапошников, В. Л.; Лазарук, С. К.; Пушкарчук, В. А.
2016Квантово–механическое моделирование спиновых, электронных и оптических свойств алмазоподобных наноструктур с азотно-вакансионными дефектными комплексами, используемых в устройствах для квантовой обработки информации : отчет о НИР (закл.)Филонов, А. Б.; Шапошников, В. Л.; Пушкарчук, В. А.
2016Компьютерное моделирование энергетических зон и оптических параметров дихалькогенидов оловаШапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2017Магнитное упорядочение в гетероструктурах на основе двумерных кристаллов дихалькогенидов тугоплавких металлов, легированных марганцемКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2017Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединенийКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.
2016Моделирование наноразмерных объектов на основе сульфида олова и оксида цинка и установление изменения их электронных и оптических свойств за счет модификации структуры : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.
2017Моделирование спектра фононов в трехкомпонентных двумерных кристаллах дихалькогенидов тугоплавких металловАлексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллураКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.