Skip navigation

Browsing by Subject impurity

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 7 of 7
Issue DateTitleAuthor(s)
2017Analytical solution of equations set describing diffusion of point defects in the 2-layer semiconductor structureVelichko, O. I.; Aksenov, V. V.
2017Effect of charged clusters on the diffusion of impurity atoms in silicon crystalsVelichko, O. I.
2019Electronic properties of WS2/WSe2 heterostructure containing Te impurity: the role of substituting positionKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J. L.
2021Heterostructures of two-dimensional transition metal dichalcogenides: Formation, ab initio modeling and possible applicationsKrivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Lazzari, J.L.
2016Влияние вакансионных дефектов и примесей на электронную структуру двумерных кристаллов MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2017Влияние заряженных кластеров на диффузию атомов примеси в кристаллах кремнияВеличко, О. И.; Velichko, O. I.
2016Явление сегрегации примесных атомов в области залегания p–n-переходаВеличко, О. И.