Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10856
Название: A model of radiative recombination in n-type porous silicon-aluminum Schottky junction
Авторы: Balucani, M.
Bondarenko, V.
Franchina, L.
Lamedica, G.
Yakovtseva, V. A.
Ferrari, A.
Ключевые слова: публикации ученых
Schottky barriers
P-N junctions
Silicon
Luminescence
Light emitting diodes
Дата публикации: 1999
Издательство: American Institute of Physics; USA
Библиографическое описание: A model of radiative recombination in n-type porous silicon-aluminum Schottky junction / M. Balucani and others // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 74. - Issue 14 . - P. 1960. - DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.123741
Краткий осмотр (реферат): It is common knowledge that silicon emits visible light in its breakdown condition, but it is also known to have low efficiency. In this letter, we report an in-depth analysis of data for light emitting devices based on porous silicon.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10856
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10856
Располагается в коллекциях:Публикации в изданиях других стран

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
A model of radiative recombination.docx15,51 kBMicrosoft Word XMLПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.