| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боднарь, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Bodnar, I. V. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-16T12:35:03Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T11:59:46Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-16T12:35:03Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T11:59:46Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Боднарь, И. В. Оптические свойства тонких пленок соединения In2Se3 / И. В. Боднарь // Физика и техники полупроводников. – 2016. – Т. 50, № 6. – С. 731 – 734. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11324 | - |
| dc.description.abstract | Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 К получены пленки соединения In2Sе3. Oпределен состав и структура пленок. Установлено, что полученные пленки кристаллизуются в гексагональной структуре. По спектрам пропускания и отражения определена ширина запрещенной зоны (Eg) пленок In2Sе3, а также показателя преломления. Установлено, что с ростом температуры подложки Eg увеличивается. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Springer | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | спектры пропускания и отражения | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.subject | показатель преломления | ru_RU |
| dc.subject | transmission and reflection spectra | ru_RU |
| dc.subject | band gap | ru_RU |
| dc.subject | refractive index | ru_RU |
| dc.title | Оптические свойства тонких пленок соединения In2Se3 | ru_RU |
| dc.title.alternative | Optical properties of In2Se3 thin films | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Films of In2Se3 compound have been grown at 313 and 623 K by ion beam evaporation method. Single crystals of the indicated compound grown by vertical Bridgman’s method were used as a target. Composition of the grown crystals was determined by X-Ray spectral analysis, structure of the obtained crystals and films was established by X-ray analysis. It was established, that both crystals and films are crystallized in hexagonal structure. Band gap values of In2Se3 films and refractive index were established on transmission and reflection spectra. It was found that an increase in substrate temperature leads to increase of the band gap. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
