https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767| Название: | Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов |
| Другие названия: | Principles for simulation of informative parameters of semiconductor devices |
| Авторы: | Боровиков, С. М. Карнаушенко, А. В. Зорин, Д. В. |
| Ключевые слова: | доклады БГУИР;полупроводниковые приборы;прогнозирование;параметрическая надежность;имитационные воздействия |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Боровиков, С. М. Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. В. Карнаушенко, Д. В. Зорин // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 133 - 135. |
| Аннотация: | Приведен алгоритм моделирования на ЭВМ информативных параметров, используемых для индивидуального прогнозирования работоспособности биполярных транзисторов. Он разработан с учетом вероятностных связей, полученных с помощью экспериментальных исследований для информативных параметров и дискретного уровня работоспособности транзисторов. |
| Аннотация на другом языке: | The paper describes computer simulation technique of informative parameters used for individual prediction of bipolar transistor operation. The technique has been designed taking into account probabilistic relationships between informative parameters and discrete levels of transistor operation that were determined through experimental investigations. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767 |
| Располагается в коллекциях: | №1 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Borovikov_Printsipy.pdf | 148.94 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.