Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767
Название: Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов
Другие названия: Principles for simulation of informative parameters of semiconductor devices
Авторы: Боровиков, С. М.
Карнаушенко, А. В.
Зорин, Д. В.
Ключевые слова: доклады БГУИР;полупроводниковые приборы;прогнозирование;параметрическая надежность;имитационные воздействия
Дата публикации: 2003
Издательство: БГУИР
Описание: Боровиков, С. М. Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. В. Карнаушенко, Д. В. Зорин // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 133 - 135.
Аннотация: Приведен алгоритм моделирования на ЭВМ информативных параметров, используемых для индивидуального прогнозирования работоспособности биполярных транзисторов. Он разработан с учетом вероятностных связей, полученных с помощью экспериментальных исследований для информативных параметров и дискретного уровня работоспособности транзисторов.
Аннотация на другом языке: The paper describes computer simulation technique of informative parameters used for individual prediction of bipolar transistor operation. The technique has been designed taking into account probabilistic relationships between informative parameters and discrete levels of transistor operation that were determined through experimental investigations.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767
Располагается в коллекциях:№1

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Borovikov_Printsipy.pdf148.94 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.