https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767| Title: | Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов |
| Other Titles: | Principles for simulation of informative parameters of semiconductor devices |
| Authors: | Боровиков, С. М. Карнаушенко, А. В. Зорин, Д. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;полупроводниковые приборы;прогнозирование;параметрическая надежность;имитационные воздействия |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Боровиков, С. М. Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. В. Карнаушенко, Д. В. Зорин // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 133 - 135. |
| Abstract: | Приведен алгоритм моделирования на ЭВМ информативных параметров, используемых для индивидуального прогнозирования работоспособности биполярных транзисторов. Он разработан с учетом вероятностных связей, полученных с помощью экспериментальных исследований для информативных параметров и дискретного уровня работоспособности транзисторов. |
| Alternative abstract: | The paper describes computer simulation technique of informative parameters used for individual prediction of bipolar transistor operation. The technique has been designed taking into account probabilistic relationships between informative parameters and discrete levels of transistor operation that were determined through experimental investigations. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767 |
| Appears in Collections: | №1 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Borovikov_Printsipy.pdf | 148.94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.