| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Карнаушенко, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Зорин, Д. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-30T09:17:35Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-30T09:17:35Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Боровиков, С. М. Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. В. Карнаушенко, Д. В. Зорин // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 133 - 135. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30767 | - |
| dc.description.abstract | Приведен алгоритм моделирования на ЭВМ информативных параметров, используемых для
индивидуального прогнозирования работоспособности биполярных транзисторов. Он разработан с учетом вероятностных связей, полученных с помощью экспериментальных исследований
для информативных параметров и дискретного уровня работоспособности транзисторов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | прогнозирование | ru_RU |
| dc.subject | параметрическая надежность | ru_RU |
| dc.subject | имитационные воздействия | ru_RU |
| dc.title | Принципы моделирования информативных параметров полупроводниковых приборов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Principles for simulation of informative parameters of semiconductor devices | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The paper describes computer simulation technique of informative parameters used for individual prediction of bipolar transistor operation. The technique has been designed taking into account probabilistic relationships between informative parameters and discrete levels of transistor operation that
were determined through experimental investigations. | - |
| Appears in Collections: | №1
|
