https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811
Название: | Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN |
Другие названия: | Research of electron transfer features in GaN semiconductor devices |
Авторы: | Муравьев, В. В. Тамело, А. А. Мищенко, В. Н. |
Ключевые слова: | доклады БГУИР;нитриды;миллиметровые волны;метод Монте-Карло;частоты рассеяния |
Дата публикации: | 2004 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Муравьев, В. В. Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN / В. В. Муравьев, А. А. Тамело, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 13 - 20. |
Аннотация: | В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в мате- риале GaN. Наиболее общим подходом при моделировании движения электронов в полу- проводниковых структурах является использование уравнения Больцмана, для численного решения которого используется метод Монте-Карло. Определены основные электрофизиче- ские параметры материала GaN, которые необходимы для исследования переноса носителей заряда с использованием метода Монте-Карло. Рассчитаны значения частот рассеяния элек- тронов в материале GaN. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811 |
Располагается в коллекциях: | №4 (8) |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Muraviev_Research.pdf | 653.96 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.