Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811
Title: Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN
Other Titles: Research of electron transfer features in GaN semiconductor devices
Authors: Муравьев, В. В.
Тамело, А. А.
Мищенко, В. Н.
Muraviev, V. V.
Tamelo, A. A.
Mishchenko, V. H.
Keywords: доклады БГУИР
нитриды
миллиметровые волны
метод Монте-Карло
частоты рассеяния
Issue Date: 2004
Publisher: БГУИР
Citation: Муравьев, В. В. Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN / В. В. Муравьев, А. А. Тамело, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 13 - 20.
Abstract: В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в мате- риале GaN. Наиболее общим подходом при моделировании движения электронов в полу- проводниковых структурах является использование уравнения Больцмана, для численного решения которого используется метод Монте-Карло. Определены основные электрофизиче- ские параметры материала GaN, которые необходимы для исследования переноса носителей заряда с использованием метода Монте-Карло. Рассчитаны значения частот рассеяния элек- тронов в материале GaN.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811
Appears in Collections:№4 (8)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Muraviev_Research.pdf653,96 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.