Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN

Abstract

В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в материале GaN. Наиболее общим подходом при моделировании движения электронов в полупроводниковых структурах является использование уравнения Больцмана, для численного решения которого используется метод Монте-Карло. Определены основные электрофизические параметры материала GaN, которые необходимы для исследования переноса носителей заряда с использованием метода Монте-Карло. Рассчитаны значения частот рассеяния электронов в материале GaN.