| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Тамело, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T12:58:34Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T12:58:34Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьев, В. В. Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN = Research of electron transfer features in GaN semiconductor devices / В. В. Муравьев, А. А. Тамело, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. – 2004. – № 4 (8). – С. 13–20. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811 | - |
| dc.description.abstract | В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в материале GaN. Наиболее общим подходом при моделировании движения электронов в полупроводниковых структурах является использование уравнения Больцмана, для численного решения которого используется метод Монте-Карло. Определены основные электрофизические параметры материала GaN, которые необходимы для исследования переноса носителей
заряда с использованием метода Монте-Карло. Рассчитаны значения частот рассеяния электронов в материале GaN. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | нитриды | ru_RU |
| dc.subject | миллиметровые волны | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | частоты рассеяния | ru_RU |
| dc.title | Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN | ru_RU |
| dc.title.alternative | Research of electron transfer features in GaN semiconductor devices | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Results of electron transfer features in GaN material research are cited. The most common approach of electron motion in semiconductor structures modelling is application of Boltzmann equation
and Monte Carlo method used for its computational solution. Primary electrophysical parameters of
GaN material are defined which are necessary for charge carriers transfer investigation applying
Monte Carlo method. Frequencies of electron dispersion in GaN material are calculated. | - |
| Appears in Collections: | №4 (8)
|
