Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30876
| Title: | Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией |
| Other Titles: | Simulation of a Si based static induction transistor |
| Authors: | Дудар, Н. Л. |
| Keywords: | доклады БГУИР;моделирование;транзистор со статической индукцией;численный метод;технологический маршрут |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Дудар, Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией / Н. Л. Дудар // Доклады БГУИР. - 2005. - № 2 (10). - С. 79 - 85. |
| Abstract: | Моделирование полупроводниковых структур позволяет снизить затраты на изготовление
экспериментальных образцов и оптимизировать параметры элементов интегральных схем и
приборов. В данной работе представлены результаты моделирования кремниевого транзи-
стора со статической индукцией. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30876 |
| Appears in Collections: | №2 (10)
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
