| Title: | Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией |
| Other Titles: | Simulation of a Si based static induction transistor |
| Authors: | Дудар, Н. Л. |
| Keywords: | доклады БГУИР;моделирование;транзистор со статической индукцией;численный метод;технологический маршрут |
| Issue Date: | 2005 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Дудар, Н. Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией = Simulation of a Si based static induction transistor / Н. Л. Дудар // Доклады БГУИР. – 2005. – № 2 (10). – С. 79–85. |
| Abstract: | Моделирование полупроводниковых структур позволяет снизить затраты на изготовление
экспериментальных образцов и оптимизировать параметры элементов интегральных схем и
приборов. В данной работе представлены результаты моделирования кремниевого транзистора со статической индукцией. Транзисторы со статической индукцией (СИТ) представляют собой структуры с коротким каналом, работающие на полевом эффекте и пригодные
для работы в условиях высокой мощности, высокой температуры и высокой частоты. СИТ,
для которого проводился расчет, изготовлен на кремниевой пластине с эпитаксиальной
пленкой. В эпитаксиальной пленке n-типа были сформированы области базы р-типа и эмиттера n+
-типа. Маршрут изготовления СИТ также включает в себя выращивание локального
окисла, который обеспечивает надежную изоляцию р+
- и n+
-областей транзистора друг
от друга. Была разработана одномерная модель транзистора со статической индукцией, которая использовалась для исследований его электрических характеристик. Модель описывается с помощью системы уравнений полупроводника, решение которой в одномерном
случае не требует значительных затрат машинного времени. С использованием результатов
моделирования технологического маршрута изготовления были рассчитаны распределения
плотностей токов и вольт-амперные характеристики СИТ. Моделирование технологического маршрута было выполнено с применением программного средства SUPREM3. Программа SUPREM3 создает файл выходных данных, содержащий таблицы числовых значений
моделируемых параметров структуры (распределения концентраций легирующих примесей
и подвижных носителей заряда, потенциала и т.п.). Расчеты распределений токов по глубине структуры и расчеты вольт-амперных характеристик прибора проводились численным
методом Гуммеля. |
| Alternative abstract: | The semiconductor structures simulation provides a possibility to cut down expenses for
manufacturing and optimization the integrated circuit elements and devices parameters. In this paper
results of a Si based static induction transistor simulation are presented. Static induction transistors
(SITs) are short channel FET structures that are suitable for high power, high temperature and high
frequency applications. The static induction transistor to be calculated was formed on the silicon substrate with epitaxial film. P-base and n+
-emitter regions were formed on the n-epitaxial film. The routine of manufacturing SIT process involves also growing of the local oxide which provides the good
isolation of separated p+
- and n+
-regions. The one-dimensional SIT model was developed. This model
was used for the investigation of SIT electric characteristics. The base of the model is the fundamental
system of semiconductor equations that can be solved without the large computing time. The current
densities distributions and I-V features were calculated using results of SIT technology simulation
(impurities concentrations, potential etc.) as an input data. SIT technology simulation was performed
by SUPREM3 program package. The program SUPREM3 creates the output data file involving tables
of the simulated structure parameters numerical values. The current densities distributions and I-V features calculation was performed by Gummel numerical method. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30876 |
| Appears in Collections: | №2 (10)
|
