Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники

Abstract

Исследованы структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi, сформированной твердофазной реакцией платиновой пленки с кремниевой подложкой при температуре 550 °C в среде азота. Установлено, что переходной силицидный слой содержит Pt2Si, PtSi, а также чистую платину и характеризуется неоднородной структурой, обусловливающей неоднородное прохождение тока по площади выпрямляющего контакта. Предложена герметизация платины пленкой никеля. При этом существенно улучшаются однородность структуры и контактные свойства силицидного слоя.