Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31142
Title: Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники
Other Titles: Features of formation Si/PtSi boundary in schottky diodes for power application
Authors: Турцевич, А. С.
Соловьев, Я. А.
Ануфриев, Д. Л.
Мильчанин, О. В.
Keywords: доклады БГУИР;диод Шоттки;силицид платины;твердофазная реакция;граница раздела
Issue Date: 2006
Publisher: БГУИР
Citation: Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2006. - № 4 (16). - С. 53 - 58.
Abstract: Исследованы структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi, сформированной твердофазной реакцией платиновой пленки с кремниевой подложкой при температуре 550 °C в среде азота. Установлено, что переходной силицидный слой содержит Pt2Si, PtSi, а также чистую платину и характеризуется неоднородной структурой, обусловливающей неоднородное прохождение тока по площади выпрямляющего контакта. Предложена герметизация платины пленкой никеля. При этом существенно улучшаются однородность структуры и контактные свойства силицидного слоя.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31142
Appears in Collections:№4 (16)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Turtsevich_Features.pdf427.9 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.