| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Ануфриев, Д. Л. | - |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-23T11:05:55Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-23T11:05:55Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.citation | Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники = Features of formation Si/PtSi boundary in schottky diodes for power application / А. С. Турцевич [и др.] // Доклады БГУИР. – 2006. – № 4 (16). – С. 53–58. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31142 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi, сформированной твердофазной реакцией платиновой пленки с кремниевой подложкой при температуре 550 °C в среде азота. Установлено, что переходной силицидный слой содержит Pt2Si,
PtSi, а также чистую платину и характеризуется неоднородной структурой, обусловливающей неоднородное прохождение тока по площади выпрямляющего контакта. Предложена
герметизация платины пленкой никеля. При этом существенно улучшаются однородность
структуры и контактные свойства силицидного слоя. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
| dc.subject | силицид платины | ru_RU |
| dc.subject | твердофазная реакция | ru_RU |
| dc.subject | граница раздела | ru_RU |
| dc.title | Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники | ru_RU |
| dc.title.alternative | Features of formation Si/PtSi boundary in schottky diodes for power application | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Structure and morphology features of Si/PtSi boundary formatted by solid phase reaction of platinum film with silicon substrate at 550°C in nitrogen atmosphere are researched. Silicide layer content Pt2Si, PtSi and also pure platinum and characterized nonuniform structure that leads to nonuniform current flow through rectifying contact square were established. Capsulation of platinum by nickel film essentially improves the structure and contact properties uniformity of silicide layer. | - |
| Appears in Collections: | №4 (16)
|
