| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Ануфриев, Д. Л. | - |
| dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-23T11:05:55Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-23T11:05:55Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.citation | Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники / А. С. Турцевич и другие // Доклады БГУИР. - 2006. - № 4 (16). - С. 53 - 58. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31142 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi, сформированной твердофазной реакцией платиновой пленки с кремниевой подложкой при температуре 550 °C в среде азота. Установлено, что переходной силицидный слой содержит Pt2Si,
PtSi, а также чистую платину и характеризуется неоднородной структурой, обусловливающей неоднородное прохождение тока по площади выпрямляющего контакта. Предложена
герметизация платины пленкой никеля. При этом существенно улучшаются однородность
структуры и контактные свойства силицидного слоя. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
| dc.subject | силицид платины | ru_RU |
| dc.subject | твердофазная реакция | ru_RU |
| dc.subject | граница раздела | ru_RU |
| dc.title | Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники | ru_RU |
| dc.title.alternative | Features of formation Si/PtSi boundary in schottky diodes for power application | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №4 (16)
|
