Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33919
Название: Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена
Другие названия: Simulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on graphene
Авторы: Муравьев, В. В.
Мищенко, В. Н.
Murav'ev, V. V.
Mishchenka, V. N.
Ключевые слова: доклады БГУИР
графен
карбид кремния
процессы переноса электронов
метод Монте-Карло
graphene
silicon carbide
electron transfer processes
Monte Carlo method
Дата публикации: 2018
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Муравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 8 (118). - С. 55 - 62.
Краткий осмотр (реферат): Представлены результаты моделирования с использованием метода Монте-Карло процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный слой графена. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. В результате моделирования получены зависимости скорости, средней энергии, подвижности, коэффициента диффузии от длины структуры и напряженности электического поля в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из материала карбида кремния типа 4Н-SiC. The results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor structure containing a single layer of graphene using the Monte-Carlo method are presented. The use of graphene, which has a high mobility of charge carriers, high thermal conductivity and a number of other positive properties, is promising for the creation of new semiconductor devices with good output characteristics. As a result of modeling, the dependences of the velocity, average energy, mobility, diffusion coefficient on the structure length and electric field intensity in a semiconductor structure containing a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33919
Располагается в коллекциях:№8 (118)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Muravyev_Modelirovaniye.PDF31,1 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.