Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена
Other Titles: Simulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on graphene
Authors: Муравьев, В. В.
Мищенко, В. Н.
Keywords: доклады БГУИР;графен;карбид кремния;процессы переноса электронов;метод Монте-Карло;graphene;silicon carbide;electron transfer processes;Monte Carlo method
Issue Date: 2018
Publisher: БГУИР
Citation: Муравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 8 (118). - С. 55 - 62.
Abstract: Представлены результаты моделирования с использованием метода Монте-Карло процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный слой графена. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. В результате моделирования получены зависимости скорости, средней энергии, подвижности, коэффициента диффузии от длины структуры и напряженности электического поля в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из материала карбида кремния типа 4Н-SiC. The results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor structure containing a single layer of graphene using the Monte-Carlo method are presented. The use of graphene, which has a high mobility of charge carriers, high thermal conductivity and a number of other positive properties, is promising for the creation of new semiconductor devices with good output characteristics. As a result of modeling, the dependences of the velocity, average energy, mobility, diffusion coefficient on the structure length and electric field intensity in a semiconductor structure containing a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained.
Appears in Collections:№8 (118)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Muravyev_Modelirovaniye.PDF31.1 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.