| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-19T06:44:27Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-19T06:44:27Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 8 (118). - С. 55 - 62. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33919 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты моделирования с использованием метода Монте-Карло
процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный
слой графена. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда,
высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным
для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками.
В результате моделирования получены зависимости скорости, средней энергии, подвижности,
коэффициента диффузии от длины структуры и напряженности электического поля
в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из материала карбида кремния
типа 4Н-SiC. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | графен | ru_RU |
| dc.subject | карбид кремния | ru_RU |
| dc.subject | процессы переноса электронов | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | graphene | ru_RU |
| dc.subject | silicon carbide | ru_RU |
| dc.subject | electron transfer processes | ru_RU |
| dc.subject | Monte Carlo method | ru_RU |
| dc.title | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена | ru_RU |
| dc.title.alternative | Simulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on graphene | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor structure
containing a single layer of graphene using the Monte-Carlo method are presented. The use of graphene, which
has a high mobility of charge carriers, high thermal conductivity and a number of other positive properties,
is promising for the creation of new semiconductor devices with good output characteristics. As a result
of modeling, the dependences of the velocity, average energy, mobility, diffusion coefficient on the structure
length and electric field intensity in a semiconductor structure containing a graphene layer and a region
of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained. | - |
| Appears in Collections: | №8 (118)
|
