Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33919
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМуравьев, В. В.-
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2018-12-19T06:44:27Z-
dc.date.available2018-12-19T06:44:27Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationМуравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графена / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 8 (118). - С. 55 - 62.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33919-
dc.description.abstractПредставлены результаты моделирования с использованием метода Монте-Карло процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный слой графена. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. В результате моделирования получены зависимости скорости, средней энергии, подвижности, коэффициента диффузии от длины структуры и напряженности электического поля в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из материала карбида кремния типа 4Н-SiC.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectграфенru_RU
dc.subjectкарбид кремнияru_RU
dc.subjectпроцессы переноса электроновru_RU
dc.subjectметод Монте-Карлоru_RU
dc.subjectgrapheneru_RU
dc.subjectsilicon carbideru_RU
dc.subjectelectron transfer processesru_RU
dc.subjectMonte Carlo methodru_RU
dc.titleМоделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графенаru_RU
dc.title.alternativeSimulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on grapheneru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor structure containing a single layer of graphene using the Monte-Carlo method are presented. The use of graphene, which has a high mobility of charge carriers, high thermal conductivity and a number of other positive properties, is promising for the creation of new semiconductor devices with good output characteristics. As a result of modeling, the dependences of the velocity, average energy, mobility, diffusion coefficient on the structure length and electric field intensity in a semiconductor structure containing a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained.-
Appears in Collections:№8 (118)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Muravyev_Modelirovaniye.PDF31.1 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.