https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45847| Название: | The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs |
| Авторы: | Lovshenko, I. Voronov, A. Roshchenko, P. S. Ternov, R. Stempitsky, V. R. |
| Ключевые слова: | материалы конференций;conference proceedings;the proton flux;experimental data |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs / I. Lovshenko [et al.] // Nano-Desing, Tehnology, Computer Simulations = Нанопроектирование, технология, компьютерное моделирование (NDTCS-2021) : тезисы докладов XIX Международного симпозиума, Минск, 28–29 октября 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск, 2021. – P. 66–68. |
| Аннотация: | The model of the dependence of NIEL on the proton energy with different values of threshold energy of defect formation for GaAs and AlGaAs, that are described in the literature and comply with the latest theoretical and experimental data, has been developed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45847 |
| Располагается в коллекциях: | NDTCS 2021 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Lovshenko_The.pdf | 602.05 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.