https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5215| Title: | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников |
| Other Titles: | Construction and technological characteristics of wide bandgap semiconductors sensors |
| Authors: | Волчёк, В. С. Дао Динь Ха Ловшенко, И. Ю. Стемпицкий, В. Р. |
| Keywords: | доклады БГУИР;сенсорная система;транзистор с высокой подвижностью электронов;нитрид галлия;приборно-технологическое моделирование |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников / В. С. Волчёк [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 7 (93). - С. 99 - 105. |
| Abstract: | Разработка сенсорных систем и исследование новых конструкционых решений, материалов и технологий для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все большее применение в таких системах. Выполнено приборно-технологическое моделирование характеристик транзисторов с высокой подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием различных материалов подложки. Исследовано влияние процентного содержания Al и Ga в соединении AlхGaх-1N на характеристики рассматриваемого прибора. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5215 |
| Appears in Collections: | №7 (93) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Volchek_Konstruktivno.PDF | 674.65 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.