Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5215
Title: Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников
Other Titles: Construction and technological characteristics of wide bandgap semiconductors sensors
Authors: Волчёк, В. С.
Дао Динь Ха
Ловшенко, И. Ю.
Стемпицкий, В. Р.
Keywords: доклады БГУИР;сенсорная система;транзистор с высокой подвижностью электронов;нитрид галлия;приборно-технологическое моделирование
Issue Date: 2015
Publisher: БГУИР
Citation: Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников / В. С. Волчёк [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 7 (93). - С. 99 - 105.
Abstract: Разработка сенсорных систем и исследование новых конструкционых решений, материалов и технологий для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все большее применение в таких системах. Выполнено приборно-технологическое моделирование характеристик транзисторов с высокой подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием различных материалов подложки. Исследовано влияние процентного содержания Al и Ga в соединении AlхGaх-1N на характеристики рассматриваемого прибора.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5215
Appears in Collections:№7 (93)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Volchek_Konstruktivno.PDF674.65 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.