| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Волчёк, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Дао Динь Ха | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-12-09T12:36:53Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:28:15Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-09T12:36:53Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:28:15Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников / В. С. Волчёк [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 7 (93). - С. 99 - 105. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5215 | - |
| dc.description.abstract | Разработка сенсорных систем и исследование новых конструкционых решений, материалов
и технологий для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой
подвижностью электронов находит все большее применение в таких системах. Выполнено
приборно-технологическое моделирование характеристик транзисторов с высокой
подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием
различных материалов подложки. Исследовано влияние процентного содержания Al и Ga
в соединении AlхGaх-1N на характеристики рассматриваемого прибора. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | сенсорная система | ru_RU |
| dc.subject | транзистор с высокой подвижностью электронов | ru_RU |
| dc.subject | нитрид галлия | ru_RU |
| dc.subject | приборно-технологическое моделирование | ru_RU |
| dc.title | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников | ru_RU |
| dc.title.alternative | Construction and technological characteristics of wide bandgap semiconductors sensors | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №7 (93)
|
