Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52274
Название: Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия
Другие названия: Passivation of a Conductive System of Integrated Circuits with a Layer of Aluminum Nitride
Авторы: Емельянов, В. В.
Ключевые слова: доклады БГУИР;интегральные схемы;токопроводящие системы;алюминиевая металлизация
Дата публикации: 2023
Издательство: БГУИР
Описание: Емельянов, В. В. Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия=Passivation of a Conductive System of Integrated Circuits with a Layer of Aluminum Nitride / В. В. Емельянов // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 3. – С. 12-16.
Аннотация: Пассивация пленочной токопроводящей системы интегральных схем делает ее более надежной за счет повышения устойчивости к электромиграции. Рассмотрена задача по изготовлению пассивирующего слоя на сформированной токопроводящей системе интегральной схемы, получаемой в едином технологическом цикле, включающем изотропное плазмохимическое травление слоя сплава алюминия на глубину 8–12 нм и изотропное плазмохимическое азотирование поверхности полученных токоведущих дорожек до достижения толщины нитрида алюминия 10–50 нм. Данная задача позволяет выполнить формирование на кремниевой подложке с активными областями диэлектрической пленки на основе диоксида кремния, травление в диэлектрической пленке контактных окон к активным элементам подложки, осаждение барьерного слоя толщиной 0,005–0,050 мкм, нанесение пленки сплава алюминия толщиной 0,5–2,0 мкм и многое другое.
Аннотация на другом языке: Passivation of the film conductive system of integrated circuits makes it more reliable by increasing the resistance to electromigration. The problem of manufacturing a passivating layer on the formed current-conducting system of an integrated circuit, obtained in a single technological cycle, including isotropic plasma-chemical etching of an aluminum alloy layer to a depth of 8–12 nm and isotropic plasma-chemical nitriding of the surface of the obtained current-carrying tracks until the aluminum nitride thickness from 10 to 50 nm, is considered. This task makes it possible to form a dielectric film based on silicon dioxide on a silicon substrate with active regions, etch contact windows to active elements of the substrate in the dielectric film, deposit a barrier layer 0.005–0.050 µm thick, and deposit an aluminum alloy film 0.5–2.0 um and much more.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52274
DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-3-12-16
Располагается в коллекциях:Том 21, № 3

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Emelyanov_Passivaciya.pdf461.44 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.