| Title: | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия |
| Other Titles: | Passivation of a Conductive System of Integrated Circuits with a Layer of Aluminum Nitride |
| Authors: | Емельянов, В. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;интегральные схемы;токопроводящие системы;алюминиевая металлизация |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Емельянов, В. В. Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия=Passivation of a Conductive System of Integrated Circuits with a Layer of Aluminum Nitride / В. В. Емельянов // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 3. – С. 12-16. |
| Abstract: | Пассивация пленочной токопроводящей системы интегральных схем делает ее более надежной за счет повышения устойчивости к электромиграции. Рассмотрена задача по изготовлению пассивирующего слоя на сформированной токопроводящей системе интегральной схемы, получаемой в едином технологическом цикле, включающем изотропное плазмохимическое травление слоя сплава алюминия на глубину 8–12 нм и изотропное плазмохимическое азотирование поверхности полученных токоведущих дорожек до достижения толщины нитрида алюминия 10–50 нм. Данная задача позволяет выполнить формирование на кремниевой подложке с активными областями диэлектрической пленки на основе диоксида кремния, травление в диэлектрической пленке контактных окон к активным элементам подложки, осаждение барьерного слоя толщиной 0,005–0,050 мкм, нанесение пленки сплава алюминия толщиной 0,5–2,0 мкм и многое другое. |
| Alternative abstract: | Passivation of the film conductive system of integrated circuits makes it more reliable by increasing
the resistance to electromigration. The problem of manufacturing a passivating layer on the formed current-conducting system of an integrated circuit, obtained in a single technological cycle, including isotropic plasma-chemical etching of an aluminum alloy layer to a depth of 8–12 nm and isotropic plasma-chemical nitriding of the surface of the obtained current-carrying tracks until the aluminum nitride thickness from 10 to 50 nm, is considered.
This task makes it possible to form a dielectric film based on silicon dioxide on a silicon substrate with active
regions, etch contact windows to active elements of the substrate in the dielectric film, deposit a barrier layer
0.005–0.050 µm thick, and deposit an aluminum alloy film 0.5–2.0 um and much more. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52274 |
| DOI: | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-3-12-16 |
| Appears in Collections: | Том 21, № 3
|
