https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526| Title: | Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии |
| Authors: | Ловшенко, И. Ю. Стемпицкий, В. Р. Шелибак, И. М. |
| Keywords: | биполярный транзистор;оптимизация;материалы конференций |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Ловшенко, И. Ю. Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C.81-82 |
| Abstract: | Среди современных приборов силовой электроники в настоящее время доминируют два базовых типа: полевые транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ, Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT), а также различные интегрированные структуры на их основе. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526 |
| ISBN: | 978-985-543-038-5 |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника» |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| моделирование.pdf | 406.81 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.