Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526
Title: Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии
Authors: Ловшенко, И. Ю.
Стемпицкий, В. Р.
Шелибак, И. М.
Keywords: биполярный транзистор;оптимизация;материалы конференций
Issue Date: 2014
Publisher: БГУИР
Citation: Ловшенко, И. Ю. Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C.81-82
Abstract: Среди современных приборов силовой электроники в настоящее время доминируют два базовых типа: полевые транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ, Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT), а также различные интегрированные структуры на их основе.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526
ISBN: 978-985-543-038-5
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
моделирование.pdf406.81 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.