Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛовшенко, И. Ю.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.contributor.authorШелибак, И. М.-
dc.date.accessioned2014-07-24T11:13:57Z-
dc.date.accessioned2017-07-19T09:38:52Z-
dc.date.available2014-07-24T11:13:57Z-
dc.date.available2017-07-19T09:38:52Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationЛовшенко, И. Ю. Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C.81-82ru_RU
dc.identifier.isbn978-985-543-038-5-
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526-
dc.description.abstractСреди современных приборов силовой электроники в настоящее время доминируют два базовых типа: полевые транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ, Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT), а также различные интегрированные структуры на их основе.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectбиполярный транзисторru_RU
dc.subjectоптимизацияru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.titleМоделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологииru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
моделирование.pdf406.81 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.