| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.contributor.author | Шелибак, И. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-07-24T11:13:57Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T09:38:52Z | - |
| dc.date.available | 2014-07-24T11:13:57Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T09:38:52Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Ловшенко, И. Ю. Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C.81-82 | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-038-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/526 | - |
| dc.description.abstract | Среди современных приборов силовой электроники в настоящее время доминируют два базовых типа: полевые транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ, Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT), а также различные интегрированные структуры на их основе. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | биполярный транзистор | ru_RU |
| dc.subject | оптимизация | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.title | Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника»
|
