Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6732
Название: Influence of Si conductivity type on immersion deposition of Cu films on porous Si
Авторы: Dolgiy, A.
Bandarenka, H.
Petrovich, V.
Ключевые слова: публикации ученых
Дата публикации: 2015
Библиографическое описание: Dolgiy, A. Influence of Si conductivity type on immersion deposition of Cu films on porous Si / A. Dolgiy, H. Bandarenka, V. Petrovich // Physics, Chemistry and application of Nanostructures, 2015. - 5 р.
Краткий осмотр (реферат): An immersion deposition of copper (Cu) on a porous silicon (PS) from an aqueous solution of the copper sulfate (CuSO4) and hydrofluoric acid (HF) has been performed. The PS based on n+- and p+-silicon (Si) wafers has been used to study the Cu deposition depending on the conductivity type of the initial Si substrate. The PS/n+-Si substrate has been found to allow the deposition of the nanostructured Cu films on the PS, while the PS/p+-Si has been shown to provide the formation of the porous Cu films by the complete substitution of the Si atoms in the PS with the Cu atoms.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6732
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6732
Располагается в коллекциях:Публикации в изданиях других стран

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
INFLUENCE OF Si CONDUCTIVITY.pdf435,24 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.