Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/7783
Название: Разработать базовые конструкции и технологию изготовления элементной базы высокотемпературных КМОП БИС в КНИ структурах: отчет о НИР (заключ.)
Авторы: Бондаренко, В. П.
Долгий, Л. Н.
Клышко, А. А.
Бондаренко, А. В.
Чубенко, Е. Б.
Долгий, А. Л.
Редько, С. В.
Абрамов, К. И.
Долгий, Ал. Л.
Ключевые слова: отчеты о НИР
МОП транзисторы
элементная база
интегральные схемы
высокотемпературные схемы
технологический процесс
Дата публикации: 2013
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Разработать базовые конструкции и технологию изготовления элементной базы высокотемпературных КМОП БИС в КНИ структурах(заключительный) : отчет о НИР / БГУИР; научный руководитель В.П. Бондаренко ; отв. исполнитель Л.Н. Долгий . – Минск, 2013. – 195 с. - № ГР 20120754
Серия/номер: № 11-1151 Б;
Краткий осмотр (реферат): Проведен анализ физических процессов, протекающих в полупроводниковых кремниевых МОП структурах в объемном кремнии, при увеличении рабочей температуры выше 125°С. Указаны возможные пути устранения эффектов, приводящих к нарушению работоспособности МОП структур, посредством конструктивных, технологических и схемотехнических решений.
Гос. док-т: № ГР 20120754
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/7783
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/7783
Располагается в коллекциях:Отчеты о НИР 2013

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
№ ГР 20120754 (11-1151Б)_Рук_НИР_Бондаренко.pdf11,62 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть    Запрос копии
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.