Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/7783
Title: Разработать базовые конструкции и технологию изготовления элементной базы высокотемпературных КМОП БИС в КНИ структурах: отчет о НИР (заключ.)
Authors: Бондаренко, В. П.
Долгий, Л. Н.
Клышко, А. А.
Бондаренко, А. В.
Чубенко, Е. Б.
Долгий, А. Л.
Редько, С. В.
Абрамов, К. И.
Keywords: отчеты о НИР;МОП транзисторы;элементная база;интегральные схемы;высокотемпературные схемы;технологический процесс
Issue Date: 2013
Publisher: БГУИР
Citation: Разработать базовые конструкции и технологию изготовления элементной базы высокотемпературных КМОП БИС в КНИ структурах(заключительный) : отчет о НИР / БГУИР; научный руководитель В.П. Бондаренко ; отв. исполнитель Л.Н. Долгий . – Минск, 2013. – 195 с. - № ГР 20120754
Series/Report no.: № 11-1151 Б;
Abstract: Проведен анализ физических процессов, протекающих в полупроводниковых кремниевых МОП структурах в объемном кремнии, при увеличении рабочей температуры выше 125°С. Указаны возможные пути устранения эффектов, приводящих к нарушению работоспособности МОП структур, посредством конструктивных, технологических и схемотехнических решений.
Gov't Doc #: № ГР 20120754
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/7783
Appears in Collections:Отчеты о НИР 2013

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
№ ГР 20120754 (11-1151Б)_Рук_НИР_Бондаренко.pdf
  Restricted Access
11.62 MBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.