| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Колосницын, Б. С. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-06-29T08:17:28Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-17T07:47:49Z | - |
| dc.date.available | 2016-06-29T08:17:28Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-17T07:47:49Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Колосницын, Б. С. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 2 : Мощные полупроводниковые приборы : учебное пособие / Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас. – Минск : БГУИР, 2016. – 158 с. : ил. | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-204-4. | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/7846 | - |
| dc.description.abstract | В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электрических характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются электрические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзисторов на основе различных полупроводниковых материалов. Анализируются возможные потери мощности в КМОП ИМС в статическом и динамическом режимах ее работы и пути их минимизации. Приводится сравнительный анализ электрических параметров диодов Шоттки на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния. Учебное пособие может быть полезно магистрантам. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | учебно - методическое пособие | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | структуры транзисторов | ru_RU |
| dc.subject | СВЧ транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | тиристоры | ru_RU |
| dc.title | Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 2 : Мощные полупроводниковые приборы : учебное пособие | ru_RU |
| dc.type | Book | ru_RU |
| Appears in Collections: | Кафедра микро- и наноэлектроники
|
