| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Дворников, О. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-11-19T08:47:06Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-19T11:59:46Z | - |
| dc.date.available | 2016-11-19T08:47:06Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-19T11:59:46Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Ловшенко И. Ю. Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов / И. Ю. Ловшенко, О. В. Дворников // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов ХIV Белорусско-российской научно-технической конференции. ( Минск 25-26 мая 2016 г.). - Минск: БГУИР, 2016. – С. 60. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10138 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференции | ru_RU |
| dc.title | Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2016
|
