Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10168
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2016-11-22T08:14:04Z-
dc.date.accessioned2017-07-19T11:59:49Z-
dc.date.available2016-11-22T08:14:04Z-
dc.date.available2017-07-19T11:59:49Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМищенко В. Н. Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора / В.Н. Мищенко // Технические средства защиты информации: Тезисы докладов ХIV Белорусско-российской научно-технической конференции. ( Минск 25-26 мая 2016 г.). - Минск: БГУИР, 2016. – С. 62-63.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10168-
dc.description.abstractРассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазонов СВЧ и КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, радиометров и ряда других приборов.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцииru_RU
dc.subjectGaAs транзисторru_RU
dc.titleТрехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвораru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Mishchenko_Trekhmernoye.PDF682.54 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.