Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10195
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVelichko, O. I.-
dc.date.accessioned2016-11-22T11:53:00Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T12:23:17Z-
dc.date.available2016-11-22T11:53:00Z-
dc.date.available2017-07-27T12:23:17Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationVelichko, O. I. Microscopic mechanism responsible for radiation-enhanced diffusion of impurity atoms / O. I. Velichko // Philosophical Magazine. ― 2016. ― Vol. 96, Issue 23. ― P. 2412 - 2428.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10195-
dc.description.abstractModelling of radiation-enhanced diffusion (RED) of boron and phosphorus atoms during irradiation of silicon substrates respectively with high- and low-energy protons was carried out. The results obtained confirm the previously arrived conclusion that impurity diffusion occurs by means of the “impurity atom - intrinsic point defect” pairs and that the condition of the local thermodynamic equilibrium between substitutional impurity atoms, nonequilibrium point defects created by irradiation, and the pairs is valid. It is shown that using RED, one can form a special impurity distribution in the semiconductor substrate including retrograde profiles with increasing impurity concentration in the bulk of the semiconductor. In addition, modelling of radiation-induced segregation of nitrogen implanted in stainless steel modified by titanium is carried out. It is shown that vacancy-impurity complexes are responsible for nitrogen diffusion in an implanted layer excluding the “tail” region. The calculations performed give clear evidence in favor of further investigation of various doping processes based on RED, especially the processes of plasma doping, to develop a cheap method for forming specific impurity distributions in the near surface region.ru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.publisherPhilosophical Magazineru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectsiliconru_RU
dc.subjectsteelru_RU
dc.subjectradiation effectsru_RU
dc.subjectdiffusionru_RU
dc.subjectsimulationru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectстальru_RU
dc.subjectрадиационные эффектыru_RU
dc.subjectдиффузияru_RU
dc.subjectмоделированиеru_RU
dc.titleMicroscopic mechanism responsible for radiation-enhanced diffusion of impurity atomsru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationБыло выполнено. моделирование радиационно-стимулированной диффузии (РСД) атомов бора и фосфора в процессе облучения кремниевых подложек протонами с высокой и низкой энергиями. Полученные результаты подтверждают предварительно сделанное заключение, что диффузия примеси происходит посредством пар “атом примеси - собственный точечный дефект”, причем выполняется условие локального термодинамического равновесия между атомами примеси в положении замещения, неравновесными точечными дефектами, созданными облучением, и образующимися парами. Показано, что используя РСД, можно сформировать специальные распределения примеси в полупроводниковой подложке, включая ретроградные профили с концентрацией примеси, увеличивающейся в объем полупроводника. Кроме того, было выполнено моделирование радиационно-стимулированной сегрегации азота, ионно-имплантированного в нержавеющую сталь, легированную титаном. Показано, что за диффузию азота в ионно-имплантированном слое, исключая область "хвоста", ответственны вакансионно-примесные комплексы. Выполненные расчеты свидетельствуют о важности дальнейшего исследования различных процессов легирования, основанных на РСД, особенно процессов легирования из плазмы с целью разработать дешевый метод формирования специфических распределений примеси в приповерхностной области.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
101011.docx15.48 kBMicrosoft Word XMLView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.