| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Velichko, O. I. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-11-22T11:59:46Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T12:23:17Z | - |
| dc.date.available | 2016-11-22T11:59:46Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T12:23:17Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Velichko, O. I. Solutions of diffusion equation for point defects / O. I. Velichko // Journal of Mathematical Modeling. ― 2016. ― Vol.4, No. 2. ― P. 187 - 210. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10196 | - |
| dc.description.abstract | An analytical solution of the equation describing diffusion of intrinsic point defects in semiconductor crystals has been obtained for a one-dimensional finite-length domain with the Robin-type boundary conditions. The distributions of point defects for different migration lengths of defects have been calculated. The exact analytical solution was used to verify the approximate numerical solution of diffusion equations for vacancies and self-interstitials. Based on the numerical solution obtained, investigation of the diffusion of silicon self-interstitials in a highly doped surface region formed by ion implantation was carried out. | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.publisher | Journal of Mathematical Modeling | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | silicon | ru_RU |
| dc.subject | implantation | ru_RU |
| dc.subject | point defect diffusion | ru_RU |
| dc.subject | modeling | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | имплантация | ru_RU |
| dc.subject | диффузия точечных дефектов | ru_RU |
| dc.subject | моделирование | ru_RU |
| dc.title | Solutions of diffusion equation for point defects | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Было получено аналитическое решение уравнения, описывающего диффузию собственных точечных дефектов в кристаллах полупроводника, для одномерной области конечной длины с граничными условиями типа Робина. Были рассчитаны распределения точечных дефектов для различных значений длины миграции дефектов. Точное аналитическое решение также использовалось, чтобы проверить приблизительное численное решение уравнений диффузии вакансий и собственных межузельных атомов. На основе полученного численного решения было выполнено исследование диффузии собственных межузельных атомов кремния в высоколегированной поверхностной области, сформированной ионной имплантацией. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
