Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10257
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТитович, Н. А.-
dc.contributor.authorТеслюк, В. Н.-
dc.date.accessioned2016-11-24T09:43:35Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T12:23:19Z-
dc.date.available2016-11-24T09:43:35Z-
dc.date.available2017-07-27T12:23:19Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationТитович, Н. А. Критерии оценки восприимчивости радиоэлектронных устройств к воздействию электромагнитных помех / Н. А. Титович, В. Н. Теслюк // Современные средства связи : материалы XX Международной научно-технической конференции, Минск, 14-15 октября 2015 года. – Минск : Высший государственный колледж связи, 2015. – С. 97–99.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10257-
dc.description.abstractПроанализированы результаты исследований влияния высокочастотных помех на работу транзисторов и микросхем. Предложены критерии оценки их восприимчивости.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherВысший государственный колледж связиru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectэлектромагнитные помехиru_RU
dc.subjectтранзисторыru_RU
dc.subjectмикросхемыru_RU
dc.subjectвосприимчивостьru_RU
dc.titleКритерии оценки восприимчивости радиоэлектронных устройств к воздействию электромагнитных помехru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationThe results of studies of the effect of high-frequency interference in the work of transistors and microchips. Criteria of evaluation of their susceptibility.-
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
111003.pdf621.1 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.