| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-28T12:08:53Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T11:59:23Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-28T12:08:53Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T11:59:23Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate / D. A. Golosov and other// Physics of the Solid State. - 2016. - Vol. 58, № 1. - p. 50-54. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11057 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT)
и легированного ниобием танталата стронция-висмута (SBTN), нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления на подложки Pt/TiO2/SiO2/Si. Для формирования структуры сегнетоэлектрика
нанесенные пленки подвергались последующему отжигу при температуре 970−1070K в атмосфере O2. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Springer | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | танталат стронций-висмут (SBT) | ru_RU |
| dc.subject | ВЧ магнетронное распыление | ru_RU |
| dc.subject | сегнетоэлектрические тонкие пленки | ru_RU |
| dc.subject | ferroelectric thin films | ru_RU |
| dc.subject | strontium bismuth tantalate (SBT) | ru_RU |
| dc.title | Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The characteristics of ferroelectric thin films of strontium bismuth tantalate (SBT) and niobium-doped strontium bismuth tantalate (SBTN) deposited by radio-frequency (RF) magnetron sputtering on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates were investigated. For the formation of the structure of the ferroelectric material, the deposited films were subjected to a subsequent annealing at temperatures of 970–1070 K in an O2 atmo-sphere. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
