| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Алексеев, А. Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-28T12:16:56Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:36:43Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-28T12:16:56Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:36:43Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, А. Ю. Алексеев // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 82 – 88. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11058 | - |
| dc.description.abstract | Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных
спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов
MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев.
Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них
примесей и дефектов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | двумерные кристаллы | ru_RU |
| dc.subject | дихалькогениды тугоплавких металлов | ru_RU |
| dc.subject | электронная структура | ru_RU |
| dc.subject | примесь замещения | ru_RU |
| dc.subject | вакансия | ru_RU |
| dc.subject | two-dimensional crystals | ru_RU |
| dc.subject | dichalcogenides of refractory metals | ru_RU |
| dc.subject | electronic structure | ru_RU |
| dc.subject | substitutional impurity | ru_RU |
| dc.subject | vacancy | ru_RU |
| dc.title | Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов | ru_RU |
| dc.title.alternative | The influence of defects on the electronic properties of structures of layered dichalcogenides of refractory metals | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Computer modeling of the electronic structure of heterostructures made of individual layers of two-
dimensional crystals of MoS2, WS2, WSe2 and MoSe2 is performed by means of first-principles
methods. Two variants of the mutual arrangement of the layers of two-dimensional crystals are
suggested. Properties of such heterostructures in the presence of impurities and defects are investigated. | - |
| Appears in Collections: | №8 (102)
|
