DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
dc.date.accessioned | 2017-01-06T07:22:35Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-27T11:59:35Z | - |
dc.date.available | 2017-01-06T07:22:35Z | - |
dc.date.available | 2017-07-27T11:59:35Z | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier.citation | Шапошников, В. Л. Электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnS / В. Л. Шапошников, А. В. Кривошеева, В. Е. Борисенко // Доклады Национальной академии наук Беларуси. – 2016. - Т. 60. - № 4. – С. 50 – 55. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11227 | - |
dc.description.abstract | Теоретическим моделированием определена электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов сульфида олова (SnS). Рассмотрены низкотемпературная α-SnS и высокотемпературная β-SnS фазы. Обнаружено, что все структуры являются полупроводниками и при увеличении толщины кристаллов характеризуются уменьшением ширины запрещенной зоны до значений, типичных для объемного материала. Рассчитанные значения коэффициентов отражения меньше значений в объемных материалах, а коэффициент поглощения света сопоставим с характеристиками объемного SnS и GaAs. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Национальная академия наук Беларуси | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | сульфид олова | ru_RU |
dc.subject | двумерный кристалл | ru_RU |
dc.subject | зонная структура | ru_RU |
dc.subject | диэлектрическая функция | ru_RU |
dc.subject | коэффициент отражения | ru_RU |
dc.subject | коэффициент поглощения | ru_RU |
dc.subject | tin sulfide | ru_RU |
dc.subject | two-dimensional crystal | ru_RU |
dc.subject | band structure | ru_RU |
dc.subject | dielectric function | ru_RU |
dc.subject | reflection coefficient | ru_RU |
dc.subject | absorption coefficient | ru_RU |
dc.title | Электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnS | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
local.description.annotation | The electronic band spectra and optical properties of 2D crystals of tin sulfide (SnS) were investigated by means of ab initio simulation. Low-temperature (α-SnS) and high-temperature (β-SnS) phases in the form of 2D crystals were considered. All compounds were found to be semiconductors. Their band gaps decrease upon increasing of the number of monolayers approaching to the values of the bulk materials. Calculated reflection coefficients of structures studied are lower than in bulk materials, and the light absorption coefficient has the same order of magnitude as in bulk SnS and GaAs. | - |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|