| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-06T07:30:36Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T11:59:26Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-06T07:30:36Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T11:59:26Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Влияние вакансионных дефектов и примесей на электронную структуру двумерных кристаллов MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2 / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко // Доклады Национальной академии наук Беларуси. – 2016. - Т. 60. - № 6. - С. 48–53. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11229 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы возможности регулирования ширины запрещённой зоны у двумерных дихалькогенидов тугоплавких металлов MoS2, MoSe2, WS2 и WSe2 за счёт примесных атомов или вакансий. Рассмотрены случаи, когда атом кислорода замещает атом халькогена либо адсорбирован на поверхности. Замещающая примесь приводит к незначительному увеличению ширины запрещённой зоны, адсорбция атомов кислорода – к её уменьшению относительно нелегированного материала. Вакансия на месте атома халькогена приводит к изменению дисперсии зон и появлению дополнительных энергетических уровней. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальная академия наук Беларуси | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | двумерные кристаллы | ru_RU |
| dc.subject | монослой | ru_RU |
| dc.subject | электронная структура | ru_RU |
| dc.subject | примесь | ru_RU |
| dc.subject | адсорбция | ru_RU |
| dc.subject | вакансия | ru_RU |
| dc.subject | two-dimensional crystals | ru_RU |
| dc.subject | monolayer | ru_RU |
| dc.subject | electronic structure | ru_RU |
| dc.subject | impurity | ru_RU |
| dc.subject | adsorption | ru_RU |
| dc.subject | vacancy | ru_RU |
| dc.title | Влияние вакансионных дефектов и примесей на электронную структуру двумерных кристаллов MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2 | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The possibility of band gap engineering by means of impurities or vacancies is investigated in two-dimensional dichalcogenide crystals of MoS2, MoSe2, WS2 and WSe2. Oxygen impurity atoms are considered to substitute chalcogen atoms or to adsorb at the surface of the crystal. The atom substitution leads to a slight increase in the energy band gap, while the adsorption of oxygen atoms at the surface decreases the gap relative to the unalloyed material. A vacancy in the position of the chalcogen atom leads to the change in the band dispersion and the appearance of additional energy levels. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
