| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дао Динь Ха | - |
| dc.contributor.author | Волчек, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Баранова, М. С. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Гвоздовский, Д. Ч. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-01-19T09:22:37Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:36:06Z | - |
| dc.date.available | 2017-01-19T09:22:37Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:36:06Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологии / Дао Динь Ха [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2016. - № 7 (101). - С. 167 - 171. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11356 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты приборно-технологического моделирования горизонтальных и
вертикальных структур датчика Холла, используемых в качестве элемента интегрального
трехмерного магнитометра. Исследованы зависимости напряжения Холла от величины и
угла отклонения вектора индукции магнитного поля, а также зависимости
чувствительности от температуры. Проведено моделирование из первых принципов
соединения халькогенидной шпинели CuCr2Se4, применяемого в качестве материала
концентратора магнитного поля. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | магнитно-резонансная томография | ru_RU |
| dc.subject | датчик Холла | ru_RU |
| dc.subject | компьютерное моделирование | ru_RU |
| dc.subject | концентратор магнитного поля | ru_RU |
| dc.subject | magnetic resonance imaging | ru_RU |
| dc.subject | a Hall sensor | ru_RU |
| dc.subject | computer simulation | ru_RU |
| dc.subject | hub of the magnetic field | ru_RU |
| dc.title | Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологии | ru_RU |
| dc.title.alternative | Three-dimensional magnetometer based on hall sensors integrated in standard CMOS technology | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of the device simulation of a three-dimensional magnetometer based on Hall
sensors integrated in a standard CMOS technology are presented. The Hall voltage vs
magnetic field, Hall voltage vs magnetic field deviation angle, and sensitivity vs temperature
curves were measured. The first-principles simulation of chalcogenide spinel CuCr2Se4 used
in creation of a magnetic field concentrator was performed. | - |
| Appears in Collections: | №7 (101)
|
