| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Снитовский, Ю. П. | - |
| dc.contributor.author | Ходарина, Л. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-02-28T12:31:20Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:37:34Z | - |
| dc.date.available | 2017-02-28T12:31:20Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:37:34Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Снитовский, Ю. П. Структура переходного слоя, формирующегося в системе Mo–Si при имплантации ионов Р+ через пленку молибдена / Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина // Доклады БГУИР. – 2017. – № 1 (103). – С. 5-12. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12098 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы влияния дозы легирования Si(111) ионами фосфора, влияния постимплантационного отжига легированного Si и отжига системы Mo–Si, а также облучения ионами фосфора сформированных омических контактов системы Mo–Si и низкотемпературной
термообработки на структуру и фазовый состав переходного слоя. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | структура переходного слоя | ru_RU |
| dc.subject | система Mo–Si | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.subject | кремниевые эпитаксиальные структуры | ru_RU |
| dc.subject | structure of the transition layer | ru_RU |
| dc.subject | Mo–Si system | ru_RU |
| dc.subject | ion implantation | ru_RU |
| dc.subject | epitaxial silicon structures | ru_RU |
| dc.title | Структура переходного слоя, формирующегося в системе Mo–Si при имплантации ионов Р+ через пленку молибдена | ru_RU |
| dc.title.alternative | Structure of transitional layer forming in Mo–Si system by P+ ion implantation over molybdenum film | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Questions of the implantation fluency of Si(111) by phosphorus ions influence, the effect of post-implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo–Si system and of irradiation by phosphorus ions
of generated ohmic contact of system Mo–Si and an annealing at low temperatures on the structure and phase composition of transitional layer have been considered. | - |
| Appears in Collections: | №1 (103)
|
