| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Колосницын, Б. С. | - |
| dc.contributor.author | Троян, Е. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-13T12:25:02Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:38:08Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-13T12:25:02Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:38:08Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Колосницын, Б. С. Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках / Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян // Доклады БГУИР. - 2017. - № 2 (104). - С. 25 - 30. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12600 | - |
| dc.description.abstract | В предлагаемой статье анализируется возможность создания тонкопленочных элементов
памяти и порогового переключения на основе одного халькогена-теллура. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
| dc.subject | халькогенидные соединения | ru_RU |
| dc.subject | thin films | ru_RU |
| dc.subject | chalcogenide alloys | ru_RU |
| dc.title | Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках | ru_RU |
| dc.title.alternative | Switching and memory effects in thin film disoder chalcoginide semiconductors | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The possibility of creation of thin film memory elements and threshold switching elements on the
base of one chalcogenide – tellurium is analyzed in the proposed article. | - |
| Appears in Collections: | №2 (104)
|
