| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боровик, А. М. | - |
| dc.contributor.author | Ханько, В. Т. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-05-23T08:42:59Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:38:44Z | - |
| dc.date.available | 2017-05-23T08:42:59Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:38:44Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Боровик, А. М. Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора / А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. - 2017. - № 3 (105). - С. 65 - 69. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12931 | - |
| dc.description.abstract | Разработана методика экстракции и идентификации параметров электрических моделей
наноразмерных полупроводниковых приборов, основанная на применении методов оптимизации.
Эффективность предлагаемого подхода к идентификации, экстракции и оптимизации параметров
электрических моделей полупроводниковых приборов продемонстрирована на примерах экстракции
SPICE-параметров моделей BSIM4 и HiSIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции,
изготовленных по технологии, обеспечивающей минимальную длину канала 90 нм. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | электрическая модель | ru_RU |
| dc.subject | экстракция параметров | ru_RU |
| dc.subject | оптимизация | ru_RU |
| dc.subject | наноразмерный МОП-транзистор | ru_RU |
| dc.subject | electrical model | ru_RU |
| dc.subject | parameters extraction | ru_RU |
| dc.subject | optimization | ru_RU |
| dc.subject | nanoscale MOSFET | ru_RU |
| dc.title | Электрическая модель 90-нанометрового МОП-транзистора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Electrical model of the 90 nm MOSFET | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The technique of extraction and identification of electrical models parameters for nanoscale
semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach
efficiency to identification, extraction and optimization of parameters of semiconductor devices electrical
models is demonstrated by examples of BSIM4 and HiSIM2 models SPICE parameters extraction for standard
design MOS transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm. | - |
| Appears in Collections: | №3 (105)
|
