| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лагунович, Н. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-05-23T12:19:58Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:38:45Z | - |
| dc.date.available | 2017-05-23T12:19:58Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:38:45Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Лагунович, Н. Л. Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией / Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич // Доклады БГУИР. - 2017. - № 3 (105). - С. 70 - 77. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12950 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты усовершенствования технологического маршрута изготовления
биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) и его приборно-технологического
моделирования. Усовершенствование маршрута позволило сократить количество металлизированных
промежуточных оригиналов (МПО), используемых при проекционной фотолитографии, на один, и
получить экспериментальные образцы транзистора с требуемыми электрическими характеристиками.
Приборное моделирование БСИТ было выполнено с использованием разработанных авторами модели
транзистора и комплекса программ MOD-1D. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | биполярный транзистор | ru_RU |
| dc.subject | статическая индукция | ru_RU |
| dc.subject | технологический маршрут изготовления | ru_RU |
| dc.subject | приборно-технологическое моделирование | ru_RU |
| dc.subject | bipolar transistor | ru_RU |
| dc.subject | static induction | ru_RU |
| dc.subject | making process flow | ru_RU |
| dc.subject | device-process simulation | ru_RU |
| dc.title | Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией | ru_RU |
| dc.title.alternative | The impruvement of process flow making bipolar static induction transistor and its device-process simulation | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement and its
device-process simulation are presented. The process flow improvement have allowed to reduce number of
metal intermediate subject copies (MISC) applied at projection photolithography by one and to receive
experimental samples of transistor with required electrical characteristic. The BSIT device simulation was
performed with using the developed by authors model of transistor and the software package MOD-1D. | - |
| Appears in Collections: | №3 (105)
|
