| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Котов, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Голубев, Н. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-19T14:10:27Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:06:34Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-19T14:10:27Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:06:34Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Котов, В. С. Конструктивно-технологическое усовершенствование диодов Шоттки с МОП канавочной структурой / В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2013. - № 5 (75). - С. 12 - 16. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1547 | - |
| dc.description.abstract | Проведено 2D-моделирование и экспериментальное исследование усовершенствованной
конструкции и технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-
полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии, позволивших упростить
технологический процесс на одну фотолитографию и улучшить параметры диодов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | диод | ru_RU |
| dc.subject | проектирование | ru_RU |
| dc.subject | технология | ru_RU |
| dc.subject | МОП структура | ru_RU |
| dc.subject | пробивное напряжение | ru_RU |
| dc.subject | ток утечки | ru_RU |
| dc.title | Конструктивно-технологическое усовершенствование диодов Шоттки с МОП канавочной структурой | ru_RU |
| dc.title.alternative | Structure and techological improvments of TMBS diodes | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №5 (75)
|
