| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хмыль, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Кузьмар, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Кушнер, Л. К. | - |
| dc.contributor.author | Богуш, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Борисик, М. М. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-22T10:18:40Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:09:02Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-22T10:18:40Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:09:02Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование объемных выводов полупроводниковых приборов методом электрохимического осаждения = Electrodeposition of solder bump to semiconductor devices / А. А. Хмыль [и др.] // Доклады БГУИР. – 2013. – № 8 (78). – С. 16–22. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1653 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние состава электролита и программируемых импульсно-реверсных режимов на скорость и равномерность формирования объемных серебряных выводов полупроводниковых приборов. Показано, что использование нестационарных режимов электролиза позволяет снизить их боковое разрастание и разновысотность по пластине, улучшить качественные характеристики изделий, увеличить количество приборов, получаемых на одной полупроводниковой пластине, и, тем самым, повысить производительность технологического процесса и обеспечить экономию драгметаллов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | серебряные электрохимические покрытия | ru_RU |
| dc.subject | нестационарный электролиз | ru_RU |
| dc.subject | объемные (столбиковые) выводы | ru_RU |
| dc.title | Формирование объемных выводов полупроводниковых приборов методом электрохимического осаждения | ru_RU |
| dc.title.alternative | Electrodeposition of solder bump to semiconductor devices | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №8 (78)
|
