Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1654
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЦырельчук, И. Н.-
dc.contributor.authorХорошко, В. В.-
dc.contributor.authorГременок, В. Ф.-
dc.contributor.authorИванов, В. А.-
dc.date.accessioned2014-11-22T10:24:17Z
dc.date.accessioned2017-07-13T06:09:01Z-
dc.date.available2014-11-22T10:24:17Z
dc.date.available2017-07-13T06:09:01Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationЦырельчук, И. Н. Электрические свойства тонких пленок полупроводниковых твердых растворов (CuInSe2)x-(2ZnSe)1–x / И. Н. Цырельчук // Доклады БГУИР. - 2013. - № 8 (78). - С. 95 - 100.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1654-
dc.description.abstractПроведено исследование зависимостей удельного сопротивления и термоэдс пленок Cu(In,Zn)Se2 от элементного состава и температуры. Температурные зависимости удельного сопротивления были измерены в температурном интервале Т = 80…420 К. Термоэлектрические свойства пленок исследовались при комнатной температуре с разницей температур между «горячим» и «холодным» концами зондов ∆Т = 30 К. Исследованы зависимости удельного сопротивления и коэффициентов термоэдс пленок от концентрации атомов Zn и взаимосвязь между коэффициентом термоэдс пленок и их удельным сопротивлением.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectтонкие пленкиru_RU
dc.subjectудельное сопротивлениеru_RU
dc.subjectтермоэдсru_RU
dc.titleЭлектрические свойства тонких пленок полупроводниковых твердых растворов (CuInSe2)x-(2ZnSe)1–xru_RU
dc.title.alternativeElectrical properties of thin films of semiconductor solid solutions (CuInSe2)x-(2ZnSe)1–xru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:№8 (78)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tsyrelchuk_Elektricheskiye.PDF760.65 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.